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El estiramiento del silicio es un nuevo método para medir la tensión. Cómo afectará a los semiconductores?

La Universidad de Wisconsin-Madison, ingenieros y los físicos han desarrollado un método de medición de tensión que afecta la forma en películas delgadas de silicio que podría sentar las bases para la electrónica flexible y con mayor rapidez.


Desarrollado por un equipo de investigadores dirigido por Max Lagally, Erwin Mueller W. Bascom Profesor de Ciencia e Ingeniería de Materiales en la UW-Madison, el nuevo método permite a los investigadores medir directamente los efectos de la tensión sobre la estructura electrónica de silicio.

El silicio es el estándar de la industria de semiconductores para dispositivos electrónicos. Películas delgadas de silicio podrían ser la base para una rápida y flexible en electrónica. Los investigadores conocen desde hace mucho tiempo que la inducción de tensión en el dispositivo de silicio aumenta la velocidad, todavía no han comprendido plenamente por qué.

El silicio filtrado estándar tiene tan muchas dislocaciones y defectos que la cepa mediciones no son exactas, por lo que el equipo de investigación comienza con su propio silicio fabricado especialmente de nanomembranas. El equipo puede inducir tensión uniforme en estas sumamente delgadas y flexibles hojas de silicio.



Título: Stretching Silicon: A New Method To Measure How Strain Affects Semiconductors
Enlace del artículo completo en inglés:
http://www.sciencedaily.com/releases/2008/11/081103170625.htm
Fuente original (en inglés): sciencedaily.com
Crédito de la imagen: electrónica y Computación
Traducido por: electronica2000.com (disculpas por errores que puedan haber en la traducción)

NOTA: Los circuitos aquí publicados, en su mayoría no han sido probados físicamente, el buen funcionamiento o no de los mismos, es responsabilidad del ensamblador.

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