Los investigadores en el National Institute of Standards and Technology (NIST) han desarrollado un método para medir la dureza, la resistencia y fractura de las películas delgadas de aislamiento que desempeñan un papel crítico en circuitos integrados de alto rendimiento. La nueva técnica podría ayudar a mejorar la fiabilidad y la fabricación de circuitos integrados y, mejor aún, es que el estado de la técnica microelectrónica, permite a los fabricantes utilizar los equipos que ya posee.




Se trata de la resistencia mecánica de los llamados "low-k" capas de películas dieléctricas aisladas eléctricamente sólo un par de micrómetros de espesor que están intercalados entre las capas de conductores y componentes en los chips de microprocesadores y otros dispositivos semiconductores de alto rendimiento. Como las características de los transistores y CI han llegado cada vez a ser más pequeños y abarrotados en una cada vez más estrecha colaboración, son los diseñadores de la prevención de interferencias eléctricas o "cross-talk", haciendo a las películas aislantes más porosas, con huecos a nanoescala, haciéndolas más frágiles. El fracaso de la rotura de las películas aislantes low-k sigue siendo un problema para la industria, tanto para el rendimiento de la fabricación y la fiabilidad de los dispositivos. Hasta la fecha, no ha habido ningún método exacto para medir la resistencia a la fractura de estas películas, lo que dificulta el diseño de la mejora de dieléctricos.

Título: Cracking a Tough Nut for the Semiconductor Industry
Enlace del artículo completo en inglés:
http://www.nist.gov/public_affairs/techbeat/tb2008_1223.htm#toughness
Fuente original (en inglés): nist.gov
Crédito de la imagen: nist.gov
Traducido por: electronica2000.com (disculpas por errores que puedan haber en la traducción)

NOTA: Los circuitos aquí publicados, en su mayoría no han sido probados, el buen funcionamiento o no de los mismos, es responsabilidad del ensamblador.