Un equipo de la Universidad de Rice ha determinado que una tira de grafito de sólo 10 átomos de espesor puede servir como el elemento básico en un nuevo tipo de memoria, haciendo enormes cantidades de almacenamiento disponibles para las computadoras, reproductores multimedia portátiles, teléfonos celulares y cámaras.




En las nuevas investigaciones disponibles en internet en Nature Material, el profesor James Tour, de Rice y los investigadores postdoctorado Yubao Li y Alexander Sinitskii describir un dispositivo de estado sólido que toma ventaja de las propiedades conductivas del graphene. Tour dijo que tal dispositivo podría tener muchas ventajas sobre el actual estado de la técnica de memoria flash y otras nuevas tecnologías.

La memoria de Graphene aumentaría la cantidad de almacenaje en una matriz bidimensional en un factor de cinco, dijo Tour, como los pedacitos individuales se podrían hacer más pequeños exactamente de 10 nanómetros, comparado al trazado de circuito de 45 nanómetros en memoria Flash de hoy. Los nuevos conmutadores pueden ser controlados por dos terminales en lugar de tres, como en los actuales chips.

Título: Molecular memory a game-changer
Enlace del artículo completo en inglés:
http://www.media.rice.edu/media/NewsBot.asp?MODE=VIEW&ID=11823&SnID=1521497554
Fuente original (en inglés): rice.edu
Crédito de la imagen: rsc.org
Traducido por: electronica2000.com (disculpas por errores que puedan haber en la traducción)

NOTA: Los circuitos aquí publicados, en su mayoría no han sido probados, el buen funcionamiento o no de los mismos, es responsabilidad del ensamblador.