Los científicos aplicados en la Universidad de Harvard en colaboración con investigadores de las universidades alemanas de Jena, de Gottingen, y de Bremen, han desarrollado una nueva técnica para fabricar los circuitos integrados fotónicos y electrónicos de nanocable que pueden un día ser convenientes para la producción comercial en grandes cantidades.


Encabezado por el estudiante de tercer ciclo Mariano Zimmler y Federico Capasso, Roberto L. Wallace profesor de física aplicada y Senior Fellow de Investigación en Ingeniería Eléctrica, ambos de Harvard, la Escuela de Ingeniería y Ciencias Aplicadas (SEAS), y el profesor Carsten Ronning de la Universidad de Jena, los resultados serán publicados en Cartas Nano. Los investigadores han presentado las patentes en EE.UU. para que cubra su invención.

Mientras que los nanocables del semiconductor, barras con un diámetro aproximado de un milésimo de la anchura de un pelo humano---puede ser sintetizado fácilmente en grandes cantidades usando métodos químicos baratos, confiables y las estrategias controladas para montarlos en los circuitos funcionales, han planteado un desafío importante. Mediante la incorporación en la tecnología de vidrio, silicio utilizados en la fabricación de circuitos integrados, y la fotolitografía, transfiriendo un patrón del circuito sobre un substrato con la luz, el equipo demostró un método reproductivo, en grandes cantidades y barato para la fabricación a fin de integrar los dispositivos del nanocable directamente sobre el silicio.

"Debido a que nuestra técnica de fabricación es independiente de la geométrica disposición de los nanocables sobre el sustrato, prevemos seguir combinando el proceso con uno de los varios métodos ya desarrollados para la colocación y el control de alineación de nanocables en grandes áreas", dijo Capasso. "Creemos que la unión de estos procesos pronto proporcionará el control necesario para permitir los circuitos fotónicos del nanocable integrado en una norma de fabricación estándar."

Crédito de la imagen: Cortesía de Harvard School of Engineering and Applied Sciences
Título: Method For Integrating Nanowire Devices Directly Onto Silicon Developed
Enlace del artículo completo en inglés:
http://www.sciencedaily.com/releases/2008/05/080508164412.htm
Fuente original (en inglés): sciencedaily.com
Traducido por: electronica2000.com (disculpas por errores que puedan haber en la traducción)

NOTA: Los circuitos aquí publicados, en su mayoría no han sido probados, el buen funcionamiento o no de los mismos, es responsabilidad del ensamblador.