Los químicos de Stanford han desarrollado un nuevo modo de hacer transistores del carbón nanoribbons. Los dispositivos un día podrían ser integrados en chips de ordenador de alto rendimiento para aumentar su velocidad y generar menos calor, que puede dañar chips a base de silicio de hoy cuando los transistores son embalados perfectamente como conjunto.
Por primera vez, un equipo de investigación conducido por Hongjie Dai, la J. G. Jackson y el profesor de Química C. J. Wood, han hecho transistores llamados " transistores de efecto de campo"- el componente crítico de los chips de ordenador, hecho con graphene que puede funcionar en la temperatura ambiente. Graphene es una forma de carbón sacado del grafito. Otros transistores graphene, hechos con más amplio nanoribbons o películas delgadas(finas), requieren temperaturas mucho inferiores.
"Para los transistores de
graphene, las demostraciones anteriores de los transistores de efecto de campo todas fueron hechas en la temperatura líquida del helio, que es 4 Kelvin [- 452 Fahrenheit], " Dijo Dai, el principal investigador. El trabajo de su grupo se describe en un documento publicado en línea el 23 de mayo en el diario
Physical Review Letters.
El grupo de Dai tuvo éxito en la fabricación los nanoribbons de graphene de menos de 10 nanómetros de ancho, que permite que funcionen en temperaturas más altas. " La gente no había podido hacer el graphene nanoribbons tan angosto que permitiera que los transistores trabajen en temperaturas más altas hasta ahora," dijo Dai. Usando un proceso químico desarrollado por su grupo y descrito en un documento del 29 de febrero en issue of Science, los investigadores han hecho los nanoribbons, de tiras de carbón 50.000 veces más fino que un pelo humano, que son más lisas y más estrechas que los nanoribbons hechos con otras técnicas.
Título:
Carbon Nanoribbons Could Make Smaller, Speedier Computer Chips
Enlace del artículo completo en inglés:
http://www.sciencedaily.com/releases/2008/05/080528095936.htm
Fuente original (en inglés):
sciencedaily.com
Crédito de la imagen cortesía de:
Dai Group
Referencias: Xinran Wang, Yijian Ouyang, Xiaolin Li, Hailiang Wang, Jing Guo, and Hongjie Dai1. Room-Temperature All-Semiconducting Sub-10-nm Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors. Phys Rev Lett, 100, 206803 (2008) DOI: 10.1103/PhysRevLett.100.206803
Traducido por: electronica2000.com (disculpas por errores que puedan haber en la traducción)
NOTA: Los circuitos aquí publicados, en su mayoría no han sido probados, el buen funcionamiento o no de los mismos, es responsabilidad del ensamblador.
