Antes de examinar el MOSFET es necesario tomar precauciones, ya que el MOSFET se puede destruir con la electricidad estática. Hay que lavarse las manos con agua fría, y la ropa que usamos no debe estar hecha de materiales sintéticos, ni los zapatos.

El transistor MOSFET se diferencia del transistor bipolar, ya que tiene la compuerta (base) aislada de la juntura Drenador – Surtidor, lo que hace que el FET tenga una entrada de alta impedancia, podría decirse, casi infinita. La característica permite que el FET no consuma corriente desde su compuerta, por lo que basta con un pequeño voltaje para saturarlo (de 0.5 a 1vdc).

Cabe necionar que la juntura Drenador – Surtidor es equivalente a la juntura Colector – Emisor en un transistor bipolar, con la diferencia que en el FET esta se parece mas a una resistencia que a un diodo.

En la imagen pueden ver el diagrama de un probador de MOSFET, tanto del tipo N como del tipo P. Si examinamos el interruptor MOSFET de canal N «S1» tiene que estar en la posición izquierda, en caso de que la prueba de canal P MOSFET «S1» tiene que estar en la posición correcta.

PRUEBA: Suponiendo que el probador está conectado a la tensión de alimentación (12V), presione brevemente y suelte el «SW2» (Carga capacitor) para cargar el capacitor de 10 nF. A continuación, pulse y suelte el «SW3» (ON). Luego debe parpadear diodo emisor de luz de canal N. A continuación, pulse y suelte el «SW4» (apagado) y el diodo emisor de luz de canal N no debe iluminarse. Si el MOSFET se comporta de esta manera, entonces está en buen estado.

Al examinar el proceso de un MOSFET de canal P es lo mismo, únicamente debe de cambiar «SW1» a la otra posición antes de instalar el MOSFET de canal P en la base para la prueba.

El fusible se utiliza para proteger la fuente de alimentación en caso de que los 3 pulsadores se pulsen al mismo tiempo, esto provocará un cortocircuito.

Lista de componentes

Capacitores
C1: 10 nF cerímico
Semiconductores
D1: Led verde 5mm para Canal N
D1: Led azul o amarillo 5mm para canal P
Resistores
R1: Resistor de 510Ω
Otros
B1: Batería de 9 voltios.
Base de 3 agujeros para colocar el MOSFET bajo prueba.
SW1: Interruptor tipo DPDT.
SW2,SW3, SW4: Pulsadores
Placa perforada de circuito impreso para el montaje
Caja plástica del tamaño adecuado para contener el circuito

2 comentarios en «Probador de mosfet tipo N y tipo P»
  1. SERIA BUENO DESARROLLAR UNO CON LAMPARA DE 12V 50W REALMENTE PARA IMPONERLE CARGA REAL AL SEMICONDUCTOR A PROBAR .
    DE LO CONTRARIO SIEMPRE QUEDA MARGEN DE INSEGURIDAD AL PROBAR MOSFETS DE POTENCIA!!!…

Deja una respuesta

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

Enter Captcha Here : *

Reload Image